Dieses 2-lagige F4BME275HF-Leiterplatteist eine Hochleistungs-Mikrowellenleiterplatte, die speziell für anspruchsvolle HF- und Hochfrequenz-Mikrowellenszenarien entwickelt wurde. Diese starre Leiterplatte basiert auf dem verbesserten hochstabilen PTFE-Verbundlaminat F4BME275 von Wangling und der hochwertigen umgekehrt behandelten (RTF) Kupferfolie und verfügt über eine verdickte 1,6-mm-Endplatinendicke und eine hochpräzise 5-μm-Oberflächenbeschichtung aus reinem Gold.
Was ist F4BME275? Erweiterte Substrateinführung
F4BME275 ist ein von Wangling entwickeltes Hochleistungs-PTFE-Verbundlaminat der nächsten Generation, das speziell für anspruchsvolle HF- und Mikrowellenschaltungsanwendungen optimiert wurde. Dieses Substrat besteht aus präzisionsgemischtem Glasfasergewebe, hochreinem PTFE-Harz und einer speziellen Verbundfolie und bietet eine äußerst konstante und zuverlässige elektrische Leistung in hochfrequenten Betriebsumgebungen.
Als verbesserte Version des klassischen F4BM275-Materials erreicht F4BME275 umfassende Leistungssteigerungen mit geringerem dielektrischen Verlust, höherem Isolationswiderstand und überlegener langfristiger Parameterstabilität. Es dient als kostengünstige, hochzuverlässige heimische Alternative zu den gängigen importierten Hochfrequenzlaminaten. Das standardmäßig mit rückbehandelter (RTF) Kupferfolie verkleidete Material gewährleistet eine hervorragende Low-PIM-Leistung, unterstützt das präzise Ätzen feiner Schaltkreise und reduziert effektiv Hochfrequenzleiterverluste, wodurch die Anforderungen hochpräziser HF-Schaltkreisdesigns vollständig erfüllt werden.
Kernfunktionen und Vorteile von F4BME275
F4BME275 verfügt über anpassbare elektrische und mechanische Eigenschaften durch eine präzise kalibrierte PTFE- und Glasfaser-Mischung und erreicht so ein optimales Gleichgewicht zwischen verlustarmer Leistung, struktureller Stabilität und Herstellbarkeit für verschiedene Hochfrequenz-Schaltungsdesigns:
Abstimmbare dielektrische Leistung: Verfügt über ein präzise einstellbares Glasfaser-zu-PTFE-Verhältnis und liefert eine stabile Dielektrizitätskonstante (Dk) von 2,75 bei 10 GHz mit extrem niedrigem dielektrischen Verlust. Diese anpassbare dielektrische Eigenschaft ermöglicht eine flexible Impedanzanpassung und eine präzise Materialanpassung für verschiedene zivile und militärische Hochfrequenzbanddesigns
Verbesserte Dimensionsstabilität: Die optimierte Glasfaserzusammensetzung verringert effektiv die Wärmeausdehnung und unterdrückt die Temperaturdrift des Dielektrikums. Das Material behält eine stabile physikalische und elektrische Leistung über einen Temperaturbereich von -55 °C bis 125 °C bei und minimiert so die Verformung der Platine und Parameterabweichungen bei wechselnden thermischen Betriebsbedingungen
Ausgewogene Gesamtleistung: Verwendet eine wissenschaftliche Leistungskompromissformel mit moderatem Glasfaseranteil. Es verbessert die mechanische Steifigkeit und die strukturelle Ebenheit erheblich und behält gleichzeitig die Eigenschaften eines extrem niedrigen Verlustfaktors (Df) bei, wodurch eine stabile, verlustarme Hochfrequenzsignalübertragung bis zu 20 GHz gewährleistet wird
Hohe Designflexibilität: Unterstützt anpassbare Dielektrizitätskonstantenkonfigurationen und Strukturoptimierung. HF-Ingenieure können Materialparameter anpassen, um die elektrische Hochfrequenzleistung, die mechanische Belastbarkeit und die Anpassungsfähigkeit des SMT-/Durchsteckmontageprozesses für die Entwicklung vielfältiger HF-Produkte perfekt in Einklang zu bringen
Hervorragende Low-PIM- und Low-Loss-Leistung: In Kombination mit der hochwertigen RTF-umgekehrt behandelten Kupferfolie werden die Hochfrequenz-Leiterverluste erheblich reduziert.
Zuverlässige Isolationsleistung: Die verbesserte Verbundformel bietet einen hervorragenden Volumenisolationswiderstand und isoliert hochfrequente Schaltkreissignale effektiv
Wichtige PCB-Konstruktionsspezifikationen
| Parameterelement |
Spezifische Spezifikation |
| Grundmaterial |
Wangling F4BME275 hochstabiles PTFE-Verbundlaminat mit RTF-Kupferfolie |
| Anzahl der Ebenen |
2 Schichten (starre HF-Leiterplattenstruktur) |
| Brettabmessungen |
103 mm × 76 mm (±0,15 mm Toleranz, 1 Stück) |
| Minimale Spur/Platz |
6/9 mil, Anpassung an das präzise HF-Feinlinien-Schaltungslayout |
| Mindestlochgröße |
0,5 mm, was die standardisierte Komponentenmontage erleichtert |
| Dicke der fertigen Platte |
1,6 mm dickes Plattendesign für verbesserte strukturelle Stabilität |
| Fertiges Kupfergewicht |
1oz (1,4 mil) äußere RTF-Kupferschichten für geringen Leiterverlust und Low-PIM-Leistung |
| Durchkontaktierungsdicke |
20 μm, was eine stabile Durchgangsleitfähigkeit und langfristige Zuverlässigkeit gewährleistet |
| Oberflächenbeschaffenheit |
5 μm (197 μ“) reine Goldbeschichtung sorgt für hervorragende Leitfähigkeit und Korrosionsbeständigkeit |
| Siebdruck |
Weißer Siebdruck auf der Oberseite ohne Siebdruck auf der Unterseite für eine klare Komponentenmarkierung |
| Lötmaske |
Schwarze Lötmaske oben, keine Lötmaske unten für optimierte Wärmeableitung |
| Qualitätsteststandard |
100 % vollständige elektrische Prüfung vor dem Versand, um Schaltkreisfehler auszuschließen |
2-lagige F4BME275 PCB-Stapelstruktur
Dieser professionelle 2-lagige starre Aufbau besteht aus einem leistungsstarken PTFE-Verbundkern F4BME275, gepaart mit einer verlustarmen RTF-Kupferfolie. Die ausgewogene Schichtstruktur minimiert den Verlust von Hochfrequenzsignalen und sorgt für eine gleichmäßige mechanische und elektrische Leistung, ideal für Präzisions-Mikrowellen- und HF-Anwendungen:
| Ebenenfolge |
Materialspezifikation |
Dicke |
Kernfunktion |
| Äußere Schicht 1 (oben) |
Verlustarme RTF-Kupferfolie |
35μm |
Hochfrequenz-HF-Signalübertragung und Präzisionskomponenten-Lötschicht |
| Kerndielektrische Schicht |
F4BME275 hochstabiles PTFE-Verbundkernsubstrat |
1,524 mm (60 mil) |
Verlustarme dielektrische Isolierung, stabile Temperaturbeständigkeit und konstante dielektrische Leistung für HF-Schaltkreise |
| Äußere Schicht 2 (unten) |
Verlustarme RTF-Kupferfolie |
35μm |
Hilfsschaltkreis-Übertragungsschicht zum Ausgleich der allgemeinen strukturellen Stabilität |
PCB-Statistik
| Parameterelement |
Spezifischer Wert |
| Komponenten |
37 |
| Gesamtpolster |
56 |
| Durchgangsloch-Pads |
37 |
| Top SMT-Pads |
19 |
| Untere SMT-Pads |
0 |
| Durchkontaktierungen |
21 |
| Netze |
7 |
Akzeptiertes Grafikformat:Wir unterstützen die Einreichung standardmäßiger Gerber RS-274-X-Designdateien von globalen Kunden. Dieses universelle Industriestandardformat ermöglicht eine genaue technische Bewertung, maßgeschneiderte Angebote und eine präzise Massenproduktion und gewährleistet eine effiziente und fehlerfreie Zusammenarbeit bei allen internationalen PCB-Anpassungsprojekten.
Produktionsqualitätsstandard:Alle F4BME275-Hochfrequenz-HF-Leiterplatten werden unter strikter Einhaltung der industriellen Zuverlässigkeitskriterien der IPC-Klasse 2 hergestellt und geprüft. Standardisierte Produktionsprozesse und strenge Qualitätsprüfungen garantieren eine hervorragende Maßhaltigkeit und stabile elektrische Leistung für jede Charge.
Globaler Lieferservice:Wir bieten weltweit maßgeschneiderte Leiterplattenangebote und internationale Versanddienste an. Globale Kunden können Gerber-Dateien für exklusive maßgeschneiderte Angebote einreichen, mit umfassenden Dienstleistungen aus einer Hand, einschließlich technischer Bestätigung, Präzisionsfertigung, umfassender Qualitätsprüfung und globaler Logistiklieferung.
Typische Anwendungsszenarien
Mikrowellen-, HF- und Radarsysteme: Hochfrequenz-Mikrowellenmodule, allgemeine HF-Signalschaltungen und Präzisionsradarerkennungsgeräte
Passive HF-Komponenten: Hochleistungs-Phasenschieber und verschiedene präzise passive HF-Funktionskomponenten
Stromverteilungskomponenten: Kundenspezifische Leistungsteiler, HF-Koppler und Signalkombinierer für Kommunikationssysteme
Antennenspeisesysteme: Antennenspeisenetzwerkmodule und hochpräzise Phased-Array-Antennensysteme
Drahtlose Kommunikationsausrüstung: Satellitenkommunikationsterminals und hochstabile Basisstationsantennensysteme
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