F4BME255 Substrat Hochfrequenzlaminate Kupferkaschierte Platte

F4BME255 wird durch einen wissenschaftlich formulierten Prozess und strenge Pressverfahren aus Glasfasergewebe, Polytetrafluorethylen (PTFE)-Harz und PTFE-Folie hergestellt. Seine elektrische Leistung ist im Vergleich zu F4B verbessert, was sich hauptsächlich in einem größeren Dielektrizitätskonstantenbereich, geringeren dielektrischen Verlusten, erhöhtem Isolationswiderstand und verbesserter Stabilität widerspiegelt und es zu einer praktikablen Alternative zu ähnlichen internationalen Produkten macht.

F4BM und F4BME verwenden die gleiche dielektrische Schicht, unterscheiden sich jedoch in der verwendeten Kupferfolie: F4BM wird mit ED-Kupferfolie kombiniert, die für Anwendungen ohne PIM-Anforderungen geeignet ist; F4BME wird mit umgekehrt behandelter RTF-Kupferfolie kombiniert, die eine ausgezeichnete PIM-Leistung, eine präzisere Schaltungssteuerung und geringere Leitungsverluste bietet.

F4BM und F4BME erzielen eine präzise Steuerung der Dielektrizitätskonstante durch Anpassung des Verhältnisses zwischen PTFE und Glasfasergewebe, wodurch geringe Verluste bei gleichzeitiger Verbesserung der Dimensionsstabilität des Materials gewährleistet werden. Eine höhere Dielektrizitätskonstante entspricht einem höheren Glasfaseranteil, was zu einer besseren Dimensionsstabilität, einem geringeren Wärmeausdehnungskoeffizienten (CTE), einer verbesserten thermischen Driftleistung und relativ erhöhten dielektrischen Verlusten führt.

Produktmerkmale

• DK wählbar von 2,17 bis 3,0, mit anpassbaren DK-Optionen
• Geringe Verluste
• F4BME kombiniert mit RTF-Kupferfolie für hervorragende PIM-Leistung
• Vielfältige Größenoptionen für Kosteneffizienz
• Strahlungsbeständigkeit, geringe Ausgasung
• Kommerzielle Verfügbarkeit, Massenproduktion, kostengünstig

Typische Anwendungen

• Mikrowellen-, HF-, Radarsysteme
• Phasenschieber, passive Komponenten
• Leistungsteiler, Koppler, Kombinatoren
• Speisenetzwerke, Phased-Array-Antennen
• Satellitenkommunikation, Basisstationsantennen