Kurze Einleitung
Diese Art von Keramikplatten verwendet ein kompliziertes 6-Schicht-Board-Design und wählt Aluminiumnitrid (AlN) als Substrat.Aluminiumnitrid weist eine ausgezeichnete Wärmeleitfähigkeit und elektrische Dämmungsfähigkeit aufDie Oberfläche des Platzes ist 1,5 mm dick und die Innen- und Außenlagen sind aus 1 Unze fertigem Kupfer.und die Oberflächenveredelung verwendet ein 2 Mikro-Zoll (2u") Eintauchen-GoldSie werden nach IPC-Klasse-2-Standard hergestellt.
Grundlegende Spezifikationen
Abmessungen der Platten: 51 mm x 52 mm = 1 PCS, +/- 0,15 mm
Mindestspuren/Räume: 5/5 mils
Mindestlochgröße: 0,4 mm
Keine Blind-Vias.
Ausgefertigte Plattendicke: 1,5 mm +/- 10%
Fertiges Cu-Gewicht: 1 Unze (1,4 Mil) Außenschichten
Durchspannungsdicke: 20 μm
Oberflächenveredelung: Elektroless Nickel Immersion Gold (ENIG)
Oberste Seidenwand: Nein
Unterseide: Nein
Top-Lötmaske: Nein
Maske mit Unterlöter: Nein
100% vor der Versendung verwendete elektrische Prüfung
| PCB-Größe |
51 x 52 mm = 1 PCS |
| TYPE des Boards |
|
| Anzahl der Schichten |
Doppelseitiges Keramik-PCB |
| Oberflächenbefestigungskomponenten |
- Ja, das ist es. |
| Durch Lochkomponenten |
- Ja, das ist es. |
| Layer Stackup |
Kupfer ------- 35um ((1 Unze) |
| AlN Keramik -0,39 mm |
| Kupfer ------- 35um ((1 Unze) |
| ----Vorbereitung ---- |
| Kupfer ------- 35um ((1 Unze) |
| AlN Keramik -0,39 mm |
| Kupfer ------- 35um ((1 Unze) |
| ----Vorbereitung ---- |
| Kupfer ------- 35um ((1 Unze) |
| AlN Keramik -0,39 mm |
| Kupfer ------- 35um ((1 Unze) |
| Technik |
|
| Mindestspuren und Raum: |
5 ml / 5 ml |
| Mindest- und Höchstlöcher: |
0.4 mm / 1,0 mm |
| Anzahl der verschiedenen Löcher: |
8 |
| Anzahl der Bohrlöcher: |
31 |
| Anzahl der geschliffenen Schlitze: |
0 |
| Anzahl der inneren Ausschnitte: |
1 |
| Impedanzkontrolle |
Nein |
| BORT-Material |
|
| Epoxiglas: |
AIN Keramik |
| Endfolie äußerlich: |
10,0 Unzen |
| Endfolie im Inneren |
10,0 Unzen |
| Endhöhe der PCB: |
1.5 mm ± 0,15 mm |
| Beschichtung und Beschichtung |
|
| Oberflächenbearbeitung |
Elektroless Nickel Immersion Gold (ENIG) |
| Lötmaske gilt für: |
Nein |
| Farbe der Lötmaske: |
Nein |
| Typ der Lötmaske: |
N/A |
| Kontur/Schnitt |
Routing |
| Markierung |
|
| Seite der Komponentenlegende |
Nein |
| Farbe der Komponentenlegende |
Nein |
| Herstellername oder -logo: |
N/A |
| Durch |
Durchlöchert (PTH) |
| BEMERKUNG der Entflammbarkeit |
94 V-0 |
| Dimensionstoleranz |
|
| Ausmaß des Umrisses: |
0.0059" (0,15mm) |
| Plattierung: |
0.0030" (0,076mm) |
| Toleranz für Bohrungen: |
0.002" (0,05 mm) |
| TEST |
100% elektrischer Test vor der Lieferung |
| Art der zu liefernden Kunstwerke |
E-Mail-Datei, Gerber RS-274-X, PCBDOC usw. |
| Dienstleistungsbereich |
Weltweit, weltweit. |
Einführung von keramischen AlN-Substraten
Aluminum Nitride Ceramic Copper Clad Laminate (AlN copper clad laminate for short) is a special electronic material with aluminum nitride (AlN) ceramic as the substrate and a high-purity copper layer on the surfaceEs kombiniert die hohe Wärmeleitfähigkeit von Aluminiumnitridkeramik, eine hervorragende elektrische Isolierung und die überlegene elektrische Leitfähigkeit von metallischem Kupfer.zu einem der Kernmaterialien in den Bereichen Hochleistungsgeräte, Hochfrequenzkommunikation, neue Energiefahrzeuge usw. und ist als "die ultimative Lösung für das Problem der Wärmeableitung in der Elektronikindustrie" bekannt.
Merkmale und Vorteile
1. Ultra-hohe Wärmeleitfähigkeit
Die Wärmeleitfähigkeit von Aluminiumnitrid beträgt bis zu 170-200 W/m·K, was 8-10-mal höher ist als bei herkömmlicher Aluminium-Oxid-Keramik (Al2O3).Es kann die von elektronischen Komponenten erzeugte Wärme schnell an das Wärmeabflusssystem führen, wodurch die Temperatur der Chipverbindung erheblich verringert und die Zuverlässigkeit und Lebensdauer der Ausrüstung verbessert wird.
2. Niedriger Wärmeausdehnungskoeffizient, passende Halbleitermaterialien
Der Koeffizient der thermischen Ausdehnung von Aluminiumnitrid (4,5 × 10 - 6 °C) ist nahe dem von Halbleitermaterialien wie Silizium (Si) und Siliziumkarbid (SiC)die das Risiko von Spannungscracking während des thermischen Zyklus erheblich reduzieren kann und für Hochtemperatur- und Hochleistungsszenarien geeignet ist.
3- Ausgezeichnete elektrische Isolierung und Hochfrequenzleistung
Aluminiumnitrid hat eine geringe dielektrische Konstante (8,8-9,5) und einen geringen dielektrischen Verlust (<0,001), was die Signalverzögerung und den Energieverlust bei der Hochfrequenzsignalübertragung wirksam reduzieren kann,Dies macht es zu einer idealen Wahl für Hochfrequenzgeräte wie 5G-Basisstationen und Millimeterwellen-Radar.
4. Hohe mechanische Festigkeit und Korrosionsbeständigkeit
Aluminiumnitridkeramik weist eine hohe Härte und eine starke chemische Stabilität auf.AMB) sorgen für eine enge Bindung zwischen der Kupferschicht und dem SubstratEs ist resistent gegen hohe Temperaturen und Korrosion und kann lange in rauen Umgebungen verwendet werden.
Datenblätter
| Artikel 2 |
Einheit |
Das ist alles.2O3 |
- Ja.3N4 |
| Dichte |
G/cm3 |
≥ 3.3 |
≥ 3.22 |
| Grobheit (Ra) |
μm |
≤ 06 |
≤ 07 |
| Biegefestigkeit |
MPa |
≥ 450 |
≥ 700 |
| Koeffizient der thermischen Ausdehnung |
10^-6/K |
4.6 bis 5.2 (40-400)°C) |
2.5 bis 3.1 (40 bis 400)°C) |
| Wärmeleitfähigkeit |
W/m*K |
≥ 170 (25°C) |
80 (25°C) |
| Dielektrische Konstante |
1MHz |
9 |
9 |
| Dielektrische Verluste |
1MHz |
2*10^-4 |
2*10^-4 |
| Volumenwiderstand |
Ohm*cm |
> 10^14(25°C) |
> 10^14(25°C) |
| Dielektrische Festigkeit |
KV/mm |
> 20 |
>15 |
Materialdicke
| |
Kupferdicke |
| 0.15 mm |
0.25mm |
0.30 mm |
0.50 mm |
00,8 mm |
| Keramische Dicke |
0.25mm |
- Ja.3N4 |
- Ja.3N4 |
- Ja.3N4 |
- Ja.3N4 |
- |
| 0.32mm |
- Ja.3N4 |
- Ja.3N4 |
- Ja.3N4 |
- Ja.3N4 |
- Ja.3N4 |
| 0.38mm |
AlN |
AlN |
AlN |
- |
- |
| 0.50 mm |
AlN |
AlN |
AlN |
- |
- |
| 0.63mm |
AlN |
AlN |
AlN |
- |
- |
| 1.00 mm |
AlN |
AlN |
AlN |
- |
- |
Typische Anwendungen
Elektrische Fahrzeug-Inverter:
Die Verwendung eines 1 mm Aluminiumnitrid-Substrats als Wärmeabbau-Träger für die IGBT reduziert die Betriebstemperatur des Moduls um 20-30 °C, wodurch Energieeffizienz und Lebensdauer verbessert werden.
GaN-Leistungsverstärkermodule in 5G-Basisstationen:
Das Substrat aus Aluminiumnitrid löst das Problem der Hochfrequenzwärmeerzeugung und sorgt für Signalstabilität.
Maschinen zum Laserschneiden für die Industrie:
Es dient zur Wärmeableitung des CO2-Laserkreises und vermeidet die durch hohe Temperaturen verursachte Strahlverschiebung.
Zukunftstrends
Mit der Popularisierung von Halbleitern der dritten Generation (SiC, GaN) ist die Nachfrage nach Wärmeabbau in Geräten mit hoher Leistungsdichte gestiegen.Aluminiumnitrid-Keramik-Leiterplatten werden in den folgenden Bereichen weiter ausgebaut:
• Neue Energien: Photovoltaik-Wechselrichter, Energiespeicher.
• Künstliche Intelligenz: Wärmeentwässerungsträger für KI-Chips.
• 6G-Kommunikation: Substratmaterialien für Terahertz-Frequenzbandschaltungen.
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