Diese 2-schichtige starre Hochfrequenz-PCB F4BM245 ist eine kostengünstige Schaltkreislauflösung mit geringer Dämpfung, die für kommerzielle Funkfrequenz-Hardware und drahtlose Kommunikationsinfrastruktur entwickelt wurde.Annahme eines modernisierten, mit Glasfaser verstärkten PTFE-VerbunddilektrischesDiese Platte bietet eine optimierte dielektrische Konsistenz und eine minimale Signaldämpfung im Vergleich zu herkömmlichen Substraten der F4B245-Klasse.6 mm Endstärke und 1 oz Außenkugel, verfügt es über eine hochwertige Oberflächenbehandlung mit Eintauchen-Gold, um eine stabile Leitfähigkeit und langfristige Oxidationsbeständigkeit zu erhalten.die Platte hat eine nicht-blinde Struktur mit vollständig exponiertem Kupfer ohne Lötmaske oder Seidenfilter.Die Produktion erfolgt nach den Anforderungen der IPC-Klasse 2 und basiert auf den Gerber RS-274-X-Fertigungsdaten, wobei jede fertige Einheit vor der Lieferung zu 100% elektrisch getestet wird.mit einer globalen Versorgungsdeckung für skalierbare HF-Kommunikationsbereitstellung.
PCB-Spezifikation
| Spezifikationen |
Einzelheiten |
| Ausgangsmaterial |
F4BM245 mit Glasfaser verstärktes PTFE-Verbundwerkstoff |
| Anzahl der Schichten |
2 Schichten (starre PCB) |
| Endplattendicke |
0.6 mm |
| Abmessungen des Boards |
100 mm x 80 mm (1 PCS), Toleranz +/- 0,15 mm |
| Fertiges Kupfergewicht |
1 oz (1,4 ml) äußere Schichten |
| Durch Plattierungstärke |
20 μm |
| Mindestspuren-/Raumbereich |
4/5 ml |
| Mindestgröße des Lochs |
0.3 mm |
| Blinde Wege |
Keine |
| Oberflächenbearbeitung |
Immersionsgold |
| Seidenfilter |
Keine Ober- und Unterseide |
| Lötmaske |
Keine Ober- und Unterlödermaske |
| Qualitätsstandard |
IPC-Klasse 2 |
| Prüfverfahren |
100%ige elektrische Prüfung vor dem Versand |
| Artwork Format |
Gerber RS-274-X |
| Verfügbarkeit |
Weltweiter Versand und technischer Support |
PCB-Stapel-Up-Struktur
Dieser symmetrische 2-schichtige starre Stapel balanciert mechanische Strukturgleichheit und elektrische Parameterkonsistenz.eine stabile Signalübertragung und eine hervorragende Wiederholbarkeit der Produktion für allgemeine HF-Schaltkreishardware.
| Stack-up-Schicht |
Einzelheiten der Spezifikation |
| Kupferschicht 1 |
35 μm ED-Kupferfolie |
| F4BM245 Substratkern |
20 mil (0,508 mm) Glasfaser und PTFE-Verbunddilektrikern |
| Kupferschicht 2 |
35 μm ED-Kupferfolie |
PCB-Statistik
Diese F4BM245 Hochfrequenz-Schaltplatte verfügt über ein optimiertes Bauteil-Layout und eine rationelle Verteilung,Unterstützung einer kompakten Baugruppe und eines stabilen elektrischen Signalausgangs für Funktionsmodule für drahtlose und HF-Funktionen.
| Statistikposten |
Anzahl |
| Gesamtbestandteile |
24 |
| Gesamtsumme der Pads |
36 |
| Durchlöcher |
21 |
| Spitzen-SMT-Pads |
15 |
| Unterste SMT-Pads |
0 |
| Vias Menge |
28 |
| Netto-Menge |
2 |
F4BM245 Hochfrequenz-Substrat-Einführung
F4BM245 ist ein handelsübliches, glasfaserverstärktes dielektrisches Laminat aus PTFE, das durch kalibrierte Materialproportionen und eine hochpräzise Lamination von Glasfaserstoff hergestellt wird,PTFE-Harz und PolymerfolienEs bietet umfassende elektrische Verbesserungen gegenüber herkömmlichen F4B245-Substraten mit geringerer Signaldämpfung, verbesserter Isolationsbeständigkeit und verbesserter Betriebstabilität.als praktikable Alternative zu eingeführten kommerziellen Hochfrequenz-Dielektrofstoffen dienen.
F4BM245 hat die gleiche dielektrische Zusammensetzung wie der F4BME245, unterscheidet sich jedoch in der Kupferfolie.F4BM245 zielt auf konventionelle HF-Anwendungsszenarien ab, die keine strenge PIM-Unterdrückung erfordernDurch die Anpassung des Mischverhältnisses von PTFE-Harz und Glasfaser-Füllstoff erzielt das Material eine genaue dielektrische Konstante Kalibrierung, ausgewogene Eigenschaften mit geringem Verlust und eine verbesserte Dimensionsstabilität.Ein mäßig erhöhter Glasfasergehalt stärkt die strukturelle Steifigkeit und die Temperaturentfernung bei vernachlässigbaren dielektrischen Verlustschwankungen.die flexible Anpassung der Leistung für diversifizierte Hochfrequenzschaltkreiskonstruktionen ermöglicht.
F4BM245 Kern elektrische und thermische Eigenschaften
| Leistungsparameter |
Spezifikation und Beschreibung |
| Dielektrische Konstante (Dk) |
2.45 bei 10 GHz, mit stabiler dielektrischer Leistung für die kommerzielle HF-Signalverarbeitung |
| Dissipationsfaktor (Df) |
0.0012 bei 10 GHz, die eine minimale Signaldämpfung für die drahtlose Hochfrequenzübertragung gewährleistet |
| Koeffizient der thermischen Ausdehnung (CTE) |
X-Achse: 20 ppm/°C; Y-Achse: 25 ppm/°C; Z-Achse: 187 ppm/°C (-55°C bis 288°C) |
| Thermischer Koeffizient Dk |
-120 ppm/°C (-55°C bis 150°C), Stabilisierung der elektrischen Parameter bei schwankenden Umgebungstemperaturen |
| Feuchtigkeitsabsorption |
≤ 0,08%, bei gleichbleibender elektrischer Leistung in feuchten Arbeitsumgebungen |
| Flammbarkeit |
UL-94 V0, die universelle Sicherheitskriterien für kommerzielle elektronische Hardware erfüllt |
Typische Anwendungen
Die Vorteile der geringen dielektrischen Dämpfung, stabiler Temperaturmerkmale und kostengünstigerer Fertigbarkeit machen, dass F4BM245-Schaltplatten in kommerzieller Funkfrequenz-Hardware weit verbreitet sind.drahtlose Infrastruktur und Hochfrequenzsignalverarbeitungssysteme:
- Allgemeine HF-Signalverarbeitung und Radarerkennung
- Hochfrequenz-Phasenabstimmungskomponenten
- HF-Leistungsverteilungs-, Signalkopplungs- und Signalsynthesemodule
- Antennenzuführnetze und Signalübertragungsbaugruppen
- Phasenverstellbare Antennenanlagen und Antennensysteme mit Phasenanlage
- Geräte für Satellitenkommunikationsterminals
- Antennen für Makro- und Mikro-Basisstationen für Mobilfunkkommunikation
Garantie für Qualität und Service
Alle F4BM245-Hochfrequenz-Leiterplatten werden in voller Übereinstimmung mit den industriellen Qualitätsstandards der IPC-Klasse 2 hergestellt.Die Schaltkreise erhalten eine präzise Maßgenauigkeit und eine stabile elektrische Reproduzierbarkeit., die strengen Fertigungsvoraussetzungen für kommerzielle Hochfrequenzschaltkreise erfüllen.Jede fertige Einheit wird vor der Lieferung einer umfassenden elektrischen Leistungstest unterzogen, um einen Nullfunktionsfehler und eine gleichbleibende Batchsicherheit zu gewährleistenDiese Schaltkreislösungen mit geringem Verlust liefern durch globale Lieferkapazitäten und standardisierten technischen Support eine stabilehohe Zuverlässigkeit für kommerzielle Projekte zur Produktion von HF-Sendern und für drahtlose Kommunikationsinfrastrukturen weltweit.
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